HYG025N04NA1D/HYG025N06LS1P/HYG028N10NS1B6

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参数 HYG028N10NS1B6 品牌 HYG028N10NS1P

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HYG028N10NS1P 电子 HYG028N10NS1B6 资料

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HYG028N10NS1B6-原装场效应管(MOSFET)TO-263-6

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HYG028N10NS1B6原装正品「N沟道 100V 230A」

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全新原装HYG028N10NS1B6 G028N10 TO-263 N沟道100V 230A场效应管

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华羿微电 HYG028N10NS1B6 原装TO-263-6L 100V 230A 300W场效应管

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HYG028N10NS1B6 贴片TO-263 丝印G028N10 N沟道场效应管100V/230A

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原装正品HYG028N10NS1B6 TO263-6 230A100V N沟道 MOSFET场效应管

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原装全新 HYG025N06LS1B6 HYG028N10NS1B6 TO-263-6 MOS管

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原装HYG028N10NS1B6场效应管100V230A贴片TO263-6 N沟道MOS管原装

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原装全新 HYG025N06LS1B6 HYG028N10NS1B6 TO-263-6 MOS管

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原装全新 HYG025N06LS1B6 HYG028N10NS1B6 TO-263-6 MOS管

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HYG028N10NS1B6 直插TO-263-6 N沟道 100V 230A场效应管 原装正品

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HYG028N10NS1B6 场效应管(MOSFET) N沟道 100V 230A

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HYG028N10NS1B6 贴片TO-263-6 华羿微 N沟道 100V 230A 场效应管

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场效应管(MOSFET) HYG028N10NS1B6 TO-263-6 全新 原装 现货

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HYG028N10NS1B6 贴片TO-263 丝印G028N10 N沟道场效应管100V/230A

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HYG028N10NS1B6 TO-263-6 场效应管(MOSFET) 现货 可直拍

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场效应管(MOSFET) HYG028N10NS1B6 TO-263-6 100V 230A HUAYI(华

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原装HY/华羿微 HYG028N10NS1B6 贴片TO-263-6 100V 230A 场效应管

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场效应管(MOSFET) HYG028N10NS1B6 TO-263-6

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HYG028N10NS1B6 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:230A

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HYG028N10NS1B6 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:230A

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HYG028N10NS1B6 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:230A

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HYG028N10NS1B6 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:230A

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HYG028N10NS1B6 场效应管 1个N沟道 耐压:100V 电流:230A

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HYG025N04NA1D HYG025N06LS1P HYG028N10NS1B6

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HYG025N06LS1P 自营 HYG028N10NS1B6

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HYG025N04NA1D/HYG025N06LS1P/HYG028N10NS1B6

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HYG028N10NS1B6-俊龙XC国际出售原装芯片库存也有回收，原装现货

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场效应管(MOSFET) HYG028N10NS1B6 TO-263-6 100V 230A HUAYI(华

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HYG028N10NS1B6-安富利XC国际代理全线售出原装IC库存，只做原装

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全新原厂HYG028N10NS1B6正品N沟道 100V 230A

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