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¥4.5HYG011N04LS1C2 自营 HYG011N04LS1B6 规格
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¥1.4零件 HYG011N04LS1TA 元件 HYG013N03LS1C2
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¥5.1HYG011N04LS1C2原装正品165A 40V N沟道｜分立半导体
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¥5.3正品 HYG011N04LS1C2 分立半导体║165A 40V N沟道
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¥2.2HYG011N04LS1C2 全新现货 场效应管 PPAK5*6-8封装
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¥4.1华羿微 HYG011N04LS1C2 N沟道 40V 165A 场效应管 封装DFN5x6-8
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¥1.9华羿微电 HYG011N04LS1C2 原装PPAK5*6-8 40V 165A 75W 场效应管
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¥7.1HYG011N04LS1C2 场效应管(MOSFET) N沟道 40V 165A
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¥2.2HYG011N04LS1C2 贴片DFN-8(5x6) 华羿微 N沟道 40V 165A 场效应管
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¥7.1HYG011N04LS1C2 场效应管(MOSFET) N沟道 40V 165A
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¥4.1全新进口MOS场效应管 HYG011N04LS1C2 G011N04 165A 40V HYG011N0
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¥4.7HYG011N04LS1C2 HYG011N04LS1C2 全新进口 只做原装 可开税票
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¥2.8HYG011N04LS1C2 PDFN-8 HYG011N04 场效应MOS管 40V165A 全新原装
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¥2.8场效应管(MOSFET) HYG011N04LS1C2 DFN-8(5.2x5.9) 40V 165A HUAY
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¥1.3HYG011N04LS1TA/HYG013N03LS1C2/HYG015N03LS2C2
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¥4.2HYG011N04LS1B6 规格 HYG011N04LS1C2 真品
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¥1.2HYG013N03LS1C2 封装 HYG011N04LS1TA 参数
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¥5HYG011N04LS1C2 分立半导体「165A 40V N沟道」
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¥3.6HYG011N04LS1C2▕DFN-8(5.2x5.9)场效应管(MOSFET)
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¥8.5原装现货 HYG011N04LS1C2 封装DFN-8 场效应管N沟道40V 165A 配单
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¥2.8HYG011N04LS1C2 DFN-8(5.2x5.9) 全新 原装
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¥5.2场效应管(MOSFET) HYG011N04LS1C2 DFN-8(5.2x5.9) 现货10个起拍
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¥3.1HYG011N04LS1C2 丝印G011N04 小体积 DFN5*6 芯片IC集成电路
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¥6.6HYG011N04LS1C2 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:40V 电流:165A
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¥6.6HYG011N04LS1C2 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:40V 电流:165A
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¥6.6HYG011N04LS1C2 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:40V 电流:165A
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¥2.8HYG011N04LS1TA 规格 HYG013N03LS1C2
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¥6.6HYG011N04LS1C2 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:40V 电流:165A
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¥1.3HYG011N04LS1TA/HYG013N03LS1C2/HYG015N03LS2C2
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¥7.5原装现货 HYG011N04LS1C2 封装DFN-8 场效应管N沟道40V 165A 配单
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¥1.2HYG011N04LS1TA/HYG013N03LS1C2/HYG015N03LS2C2
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